Hersteller Produktnummer:
TSM680P06CZ C0G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM680P06CZ C0G-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 18A TO220
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12892721
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TSM680P06CZ C0G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
TSM680P06CZC0G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF9Z34PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1262
TEILNUMMER
IRF9Z34PBF-DG
Einheitspreis
0.69
ERSATZART
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